广州专业FLASH闪存芯片免费咨询
总结
RAM芯片失电后数据会丢失，Flash芯片失电后数据不会丢失，我们用失电来表示电源正常关闭，正常关闭电源是指通过控制一步步实现关闭电源后续电流传递的方式，当正常关闭电源才失去电量后续供应保障，并不**断电这样的一个简单概念，由于RAM芯片可以瞬间断电，而Flash芯片不可以瞬间断电，所以不用断电这样的词语来表述这样的过程，由于瞬间断电FLASH芯片还是可能会出现丢失数据现象的，而且这个问题是及其频繁的，在至今的技术来说存储性能与效果暂不能超越SATA磁盘式硬盘记录，FLASH闪存芯片，当然磁盘记录速度上没有SSD效果好，也有磁头不平稳转动导致磁盘刮坏盘体而丢失数据，但整体来说在丢失数据问题上相对比SSD的FLASH芯片技术更成熟。
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FLASH 芯片是应用非常 的存储材料，与之容易混淆的是RAM芯片，我们工作中经常在有关IT的文章里面谈到这两种芯片。由于它们的工作条件与方式不一样，决定它们性能和用途也有差异。二进制储存首先介绍一下计算机的信息是怎样储存的。
计算机用的是二进制，也就是0与1。在二进制中，0与1可以组成任何数。而电脑的器件都有两种状态，可以表示0与1。比如三极管的断电与通电，磁性物质的已被磁化与未被磁化，物质平面的凹与凸，都可以表示0与1。 .
广州专业FLASH闪存芯片免费咨询,NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。
NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。
NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
容量成本
NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,由于生产过程更为简单,NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。
NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分,而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中,这也说明NOR主要应用在代码存储介质中,NAND适合于数据存储,NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额比较大。
● NOR的读速度比NAND稍快一些。
● NAND的写入速度比NOR快很多。
● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。
● NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。
可靠性
采用flash介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说,Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。
耐用性
在NAND闪存中每个块的比较大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势,典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍,每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
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编辑
NOR和NAND是市场上两种主要的非易失闪存技术。
在1984年，东芝公司的发明人舛冈富士雄首先提出了快速闪存存储器（此处简称闪存）的概念。与传统电脑内存不同，闪存的特点是NVM，其记录速度也非常快。
Intel是世界上 个生产闪存并将其投放市场的公司。1988年，公司推出了一款256K bit闪存芯片。它如同鞋盒一样大小，并被内嵌于一个录音机里。後来，Intel发明的这类闪存被统称为NOR闪存。它结合EPROM和EEPROM两项技术，并拥有一个SRAM接口。
第二种闪存称为NAND闪存。它由日立公司于1989年研制，并被认为是NOR闪存的理想替代者。NAND闪存的写周期比NOR闪存短90%，它的保存与删除处理的速度也相对较快。NAND的存储单元只有NOR的一半，在更小的存储空间中NAND获得了更好的性能。鉴于NAND出色的表现，它常常被应用于诸如CompactFlash、SmartMedia、 SD、 MMC、 xD、 and PC cards、USB sticks等存储卡上。