广州单靶磁控溅射工艺

热式气体流量控制器在双靶磁控溅射仪的应用：双室磁控溅射沉积系统是带有进样室的高真空多功能磁控溅射镀膜设备。它可用于在高真空背景下，充入高纯氩气，采用磁控溅射方式制备各种金属膜、介质膜、半导体膜。双靶磁控溅射仪是一款高真空镀膜设备，可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。本公司生产的DC系列的数字型热式气体流量控制器在该设备中使用，产品采用全数字架构，新型的传感制作工艺，通讯方式兼容：0-5V、4-20mA、RS485通讯模式，一键切换通讯信号，操作简单方便。磁控溅射的原理：靶材背面加上强磁体，形成磁场。广州单靶磁控溅射工艺

磁控溅射的工艺研究：1、系统参数：工艺会受到很多参数的影响。其中，一些是可以在工艺运行期间改变和控制的;而另外一些则虽然是固定的，但是一般在工艺运行前可以在一定范围内进行控制。两个重要的固定参数是：靶结构和磁场。2、靶结构：每个单独的靶都具有其自身的内部结构和颗粒方向。由于内部结构的不同，两个看起来完全相同的靶材可能会出现迥然不同的溅射速率。在镀膜操作中，如果采用了新的或不同的靶，应当特别注意这一点。如果所有的靶材块在加工期间具有相似的结构，调节电源，根据需要提高或降低功率可以对它进行补偿。在一套靶中，由于颗粒结构不同，也会产生不同的溅射速率。这也需要在镀膜期间加以注意。不过，这种情况只有通过更换靶材才能得到解决，这时候为了得到优良的膜层，必须重新调整功率或传动速度。因为速度对于产品是至关重要的，所以标准而且适当的调整方法是提高功率。双靶磁控溅射设备磁控溅射粉体镀膜技术已经实现了银包铜粉、银包铝粉、铝包硅粉等多种微纳米级粉体的量产。

磁控溅射是物相沉积的一种。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点。上世纪70年代发展起来的磁控溅射法更是实现了高速、低温、低损伤。因为是在低气压下进行高速溅射，必须有效地提高气体的离化率。磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。磁控溅射是入射粒子和靶的碰撞过程。入射粒子在靶中经历复杂的散射过程，和靶原子碰撞，把部分动量传给靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成级联过程。在这种级联过程中某些表面附近的靶原子获得向外运动的足够动量，离开靶被溅射出来。

平衡磁控溅射即传统的磁控溅射，是在阴极靶材背后放置芯部与外环磁场强度相等或相近的永磁体或电磁线圈，在靶材表面形成与电场方向垂直的磁场。沉积室充入一定量的工作气体，通常为Ar，在高压作用下Ar原了电离成为Ar+离子和电子，产生辉光放电，Ar+离子经电场加速轰击靶材，溅射出靶材原子、离子和二次电子等。电子在相互垂直的电磁场的作用下，以摆线方式运动，被束缚在靶材表面，延长了其在等离子体中的运动轨迹，增加其参与气体分子碰撞和电离的过程，电离出更多的离子，提高了气体的离化率，在较低的气体压力下也可维持放电，因而磁控溅射既降低溅射过程中的气体压力，也同时提高了溅射的效率和沉积速率。磁控溅射是在低气压下进行高速溅射,为此需要提高气体的离化率。

在各种溅射镀膜技术中，磁控溅射技术是较重要的技术之一，为了制备大面积均匀且批量一致好的薄膜，釆用优化靶基距、改变基片运动方式、实行膜厚监控等措施。多工位磁控溅射镀膜仪器由于其速度比可调以及同时制作多个基片，效率大幅度提高，被越来越多的重视和使用。在实际镀膜中，有时靶材料是不宜中间开孔的，而且对于磁控溅射系统，所以在实际生产中通过改变靶形状来改善膜厚均匀性的方法是行不通的。因此找到一种能改善膜厚均匀性并且可行的方法是非常有必要且具有重要意义的。磁控溅射涂层有很好的牢固性，溅射薄膜与基板，机械强度得到了改善，更好的附着力。海南反应磁控溅射设备

直流二极溅射采用直流光放电，三极溅射采用热阴极支撑光放电。广州单靶磁控溅射工艺

磁控溅射的优点：（1）成膜致密、均匀。溅射的薄膜聚集密度普遍提高了。从显微照片看，溅射的薄膜表面微观形貌比较精致细密，而且非常均匀。（2）溅射的薄膜均具有优异的性能。如溅射的金属膜通常能获得良好的光学性能、电学性能及某些特殊性能。（3）易于组织大批量生产。磁控源可以根据要求进行扩大，因此大面积镀膜是容易实现的。再加上溅射可连续工作，镀膜过程容易自动控制，因此工业上流水线作业完全成为可能。（4）工艺环保。传统的湿法电镀会产生废液、废渣、废气，对环境造成严重的污染。不产生环境污染、生产效率高的磁控溅射镀膜法则可较好解决这一难题。广州单靶磁控溅射工艺

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