广州通用FLASH闪存芯片价格
内存
内存是用RAM芯片。现在请你在一张纸上画一个“田”，就是画一个正方形再平均分成四份，这个“田”字就是一个内存，这样，“田”里面的四个空格就是内存的储存空间了，FLASH闪存芯片，这个储存空间极小极小，只能储存电子。
内存通电后，如果我要把“1010”这个信息保存在内存（现在画的“田”字）中，那么电子就会进入内存的储存空间里。“田”字的 个空格你画一点东西表示电子，第二个空格不用画东西，第三个空格又画东西表示电子，第四个格不画东西。这样，“田”的 格有电子，表示1，第二格没有，表示0，第三格有电子，表示1，第四格没有，表示0，内存就是这样把“1010”这个数据保存好了。电子是运动没有规律的物质，必须有一个电源才能规则地运动，内存通电时它很安守地在内存的储存空间里，一旦内存失电，电子失去了电源的后续供给，就会露出它乱杂无章的本分，逃离出内存的空间去。所以，内存失电就不能保存数据了。
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FLASH 芯片是应用非常 的存储材料，与之容易混淆的是RAM芯片，我们工作中经常在有关IT的文章里面谈到这两种芯片。由于它们的工作条件与方式不一样，决定它们性能和用途也有差异。二进制储存首先介绍一下计算机的信息是怎样储存的。
计算机用的是二进制，也就是0与1。在二进制中，0与1可以组成任何数。而电脑的器件都有两种状态，可以表示0与1。比如三极管的断电与通电，磁性物质的已被磁化与未被磁化，物质平面的凹与凸，都可以表示0与1。 .
广州通用FLASH闪存芯片价格,NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。
NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。
NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
容量成本
NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,由于生产过程更为简单,NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。
NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分,而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中,这也说明NOR主要应用在代码存储介质中,NAND适合于数据存储,NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额比较大。
FLASH闪存的损耗在VMware以及Hyper-V环境中备受关怀，类似于缓存和数据去重这样的技术将会对其持久性造成负面影响。
FLASH闪存被认为是大有前途的技术，很多人认为他们可以在服务器中部署闪存充当缓存的角色。但殊不知FLASH闪存适合读，而并不适合写。你需要十分注意FLASH闪存的耗损，并充分利用其有限的寿命。
FLASH闪存厂商会使用DRAM，这种介质抗耗损能力比较好。他们将所有的写操作都聚集于DRAM缓存，从而减少对闪存缓存的大量写操作。这保留了闪存的完整性并有效防止了闪存的耗损。
Hyper-V则体现出略微不同的FLASH闪存耗损问题。它在存储中应用数据去重，而对源文件执行写。原数据以很多小的写操作写入缓存，当Hyper-V在运行去重算法时，这些写操作又会二次破坏缓存。
广州通用FLASH闪存芯片价格,● NOR的读速度比NAND稍快一些。
● NAND的写入速度比NOR快很多。
● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。
● NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。
可靠性
采用flash介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说,Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。
耐用性
在NAND闪存中每个块的比较大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势,典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍,每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。