四川金属磁控溅射设备

直流溅射的结构原理如下：真空室中装有辉光放电的阴极，靶材就装在此极表面上，接受离子轰击；安装镀膜基片或工件的样品台以及真空室接地，作为阳极。操作时将真空室抽至高真空后，通入氩气，并使其真空度维持在1.0Pa左右，再加上2-3kV的直流电压于两电极之上，即可产生辉光放电。此时，在靶材附近形成高密度的等离子体区，即负辉区该区中的离子在直流电压的加速下轰击靶材即发生溅射效应。由靶材表面溅射出来的原子沉积在基片或工件上，形成镀层。通过控制溅射参数，如气压、功率和靶材与基材的距离，可以获得具有不同特性的薄膜。四川金属磁控溅射设备

用磁控靶源溅射金属和合金很容易，点火和溅射很方便。这是因为靶，等离子体和被溅零件/真空腔体可形成回路。但若溅射绝缘体，则回路断了。于是人们采用高频电源，回路中加入很强的电容，这样在绝缘回路中靶材成了一个电容。但高频磁控溅射电源昂贵，溅射速率很小，同时接地技术很复杂，因而难大规模采用。为解决此问题，发明了磁控反应溅射。就是用金属靶，加入氩气和反应气体如氮气或氧气。当金属靶材撞向零件时由于能量转化，与反应气体化合生成氮化物或氧化物。北京金属磁控溅射设备磁控溅射的优点如下：基板低温性。

磁控溅射又称为高速低温溅射，在磁场约束及增强下的等离子体中的工作气体离子，在靶阴极电场的加速下，轰击阴极材料，使材料表面的原子或分子飞离靶面，穿越等离子体区以后在基片表面淀积、迁移较终形成薄膜。与二极溅射相比较，磁控溅射的沉积速率高，基片升温低，膜层质量好，可重复性好，便于产业化生产。它的发展引起了薄膜制备工艺的巨大变革。磁控溅射源在结构上必须具备两个基本条件：(1)建立与电场垂直的磁场；(2)磁场方向与阴极表面平行，并组成环形磁场。

在磁控溅射过程中，靶材的选用需要考虑以下几个方面的要求：1.物理性质：靶材需要具有较高的熔点和热稳定性，以保证在高温下不会熔化或挥发。同时，靶材的密度和硬度也需要适中，以便在溅射过程中能够保持稳定的形状和表面状态。2.化学性质：靶材需要具有较高的化学稳定性，以避免在溅射过程中发生化学反应或氧化等现象。此外，靶材的纯度也需要较高，以确保溅射出的薄膜具有良好的质量和性能。3.结构性质：靶材的晶体结构和晶面取向也需要考虑，以便在溅射过程中能够获得所需的薄膜结构和性能。例如，对于一些需要具有特定晶面取向的薄膜，需要选择具有相应晶面取向的靶材。4.经济性：靶材的价格和可获得性也需要考虑，以确保溅射过程的经济性和可持续性。在选择靶材时，需要综合考虑以上各方面的要求，以选择更适合的靶材。磁控溅射还可以用于制备各种功能涂层，如耐磨、耐腐蚀、导电等涂层。

磁控溅射是一种高效、高质量的镀膜技术，与其他镀膜技术相比具有以下优势：1.高质量：磁控溅射能够在高真空环境下进行，可以制备出高质量、致密、均匀的薄膜，具有良好的光学、电学、磁学等性能。2.高效率：磁控溅射的镀膜速率较快，可以在短时间内制备出大面积、厚度均匀的薄膜。3.多功能性：磁控溅射可以制备出多种材料的薄膜，包括金属、合金、氧化物、硅等，具有广泛的应用领域。4.环保性：磁控溅射过程中不需要使用有害化学物质，对环境污染较小。相比之下，其他镀膜技术如化学气相沉积等，存在着制备质量不稳定、速率较慢、材料种类有限等缺点。因此，磁控溅射在现代工业生产中得到了广泛应用。磁控溅射的原理是：靶材背面加上强磁体，形成磁场。多功能磁控溅射设备

磁控溅射技术广泛应用于航空航天、电子、光学、机械、建筑、轻工、冶金、材料等领域。四川金属磁控溅射设备

磁控溅射技术是一种高效、高质量的薄膜沉积技术，相比其他薄膜沉积技术，具有以下优势：1.高沉积速率：磁控溅射技术可以在较短的时间内沉积出较厚的薄膜，因此可以提高生产效率。2.高沉积质量：磁控溅射技术可以沉积出高质量的薄膜，具有良好的致密性、平整度和均匀性。3.高沉积精度：磁控溅射技术可以控制沉积速率和沉积厚度，可以实现高精度的薄膜沉积。4.多功能性：磁控溅射技术可以沉积多种材料，包括金属、合金、氧化物、硅等，可以满足不同应用领域的需求。5.环保性：磁控溅射技术不需要使用有害化学物质，对环境友好。综上所述，磁控溅射技术具有高效、高质量、高精度、多功能性和环保性等优势，是一种广泛应用于微电子、光电子、材料科学等领域的重要薄膜沉积技术。四川金属磁控溅射设备