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当一个电信号通过两个光电二极管时，电容就会快速放电，两个光电二极管就会发出噪声信号，这就形成了雪崩效应。当这两个光电二极管进行驱动恢复时，电容又会收缩，进行了新的电信号的新的刺激，这样就可以控制雪崩光电二极管的速度和准确性。从外形和用途来看，雪崩光电二极管是一种PC端型的特殊光电探测器，但它的功能强大得多。它的特点包括：高速性能，可以快速捕获容易破坏的脉冲，可以保护工程负载中的信号；高抗干扰性，能够适应较大的电磁干扰；自动跳闸开关，电路中有一个自动跳闸开关芯片可以将脉冲电压快速掐断；雪崩特性，在输入信号电压变化范围内，其开关特性几乎不受影响。广州滨松光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。广州直流光电批发公司

两个光电二极管之间的电路结构简单，可以用一个偏置电容来加强两个光电二极管之间的电压比例。当电容小于某个电压时，这两个光电二极管就会被压成一个接触，这个接触就叫做雪崩，由此可以看出，这就是雪崩光电二极管的来源。当一个电信号经过两个光电二极管的同一根输入线时，两个光电二极管的偏置电压和信号的输出电流可以产生强烈的对比度，有较大的截止电压差。因此，雪崩光电二极管可以作为高速和高性能的光电门用于高速连接器和网络设备领域。雪崩光电二极管具有高速、高抗干扰、高测试特性，可以快速捕捉工程负载中容易破坏的脉冲。西安实时光电发射管深圳纳安光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。

光电二极管的速度（带宽）通常受到电气参数（电容和外部电阻）或内部效应的限制，如耗竭区的载流子传输时间。(在某些情况下，耗尽区外产生的载流子的相对缓慢的扩散限制了带宽）。几十千兆赫的带宽通常是通过小的有源区（直径远低于1毫米）和小的吸收体积实现的。这种小面积的有源器件仍然是实用的，特别是对于光纤耦合器件，但它们将可实现的光电流限制在1毫安或更少，对应的光功率为≈2毫瓦或更少。更高的光电流实际上对抑制射出噪声和热噪声是可取的。(更高的光电流在值上会增加射出噪声，但相对于信号来说会减少它）。较大的有源区（直径可达1厘米）允许处理较大的光束和更高的光电流，但代价是速度较低。高带宽（几十千兆赫）和高光电流（几十毫安培）的组合是在速度匹配的光电探测器中实现的，它包含几个小面积的光电探测器，它们与光波导弱耦合并将其光电流输送到一个共同的射频波导结构中。

雪崩二极管的结构可分为两大类：单漂移区雪崩二极管和双漂移区雪崩二极管。单漂移区雪崩二极管的结构有PN、 PIN、 P NN (或N PP )、P NIN (或N PIP )、MNN 。其中P NN 结构工艺简单,在适中的电流密度下能获得较大的负阻，且频带较宽，因此在工业中应用较多。双漂移区雪崩二极管是 1970 年以后出现的，其结构为P PNN ，实质上相当于两个互补单漂移区雪崩二极管的串联，从而有效地利用了电子和空穴漂移空间，因此输出功率和效率均较高。制造雪崩二极管的材料主要是硅和砷化镓。雪崩二极管具有功率大、效率高等优点。它是固体微波源，特别是毫米波发射源的主要功率器件，泛地使用于雷达、通信、遥控、遥测、仪器仪表中。其主要缺点是噪声较大。重庆纳安光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。

光电器件的工作原理基于光电效应和半导体物理原理。光电效应是指当光照射到金属或半导体材料表面时，会将光子能量转移给电子，从而使其获得足够的能量逃逸出材料表面，产生光电子。半导体物理原理是指当半导体材料中掺杂了不同的杂质原子时，会形成PN结，在PN结处会形成电场，当光照射到PN结上时，会产生电子-空穴对，这些载流子会被电场分离，从而产生电流。在光电器件中，光电二极管、光电探测器和光电晶体管的工作原理都基于光电效应和PN结的电场作用。光电阻的工作原理则基于光照射到光敏材料上产生电阻变化。而光电开关的工作原理则是通过光电传感器检测光信号，从而控制电路的开关状态。激光光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。广州直流光电批发公司

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发光二极管的部分是由P型半导体和N型半导体组成的晶片，在P型半导体和N型半导体之间有一个过渡层，称为PN结。在些半导体材料的PN结中，注入的少数载流子和多数载流子以光的形式释放多余的能量，从而直接将电能转化为光能。PN结加反向电压，少数载流子难以注入，因此不发光。当它处于正工作状态(即两端加正电压)，电流从阳极流向阴极时，半导体发出从紫外线到其他不同颜色的光，光的强度与电流有关。发光二极管与光电二极管的区别普通二极管在反向电压作用下处于截止状态，只能流过微弱的反向电流。光电二极管在设计和生产过程中应尽量使PN结面积相对较大，以便接收收入射光。光电二极管在反向电压下工作。当没有光时，反向电流非常微弱，称为暗电流;当有光时，反向电流迅速增加到几十个微安，称为光电流。光的强度越大，反向电流就越大。光的变化会导致光电二极管的电流变化，从而将光信号转换为电信号，成为光电传感器。广州直流光电批发公司