欢迎来到东莞市铭鳌电子科技有限公司
联系电话:18929155926
首页
关于我们
产品中心
新闻中心
企业商机
联系我们
访问官网

广州正规低压MOS管服务商

发布时间:2020/01/20

什么是mos管 mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。 双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后,在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比(beta)。另一种晶体管,叫做场效应管(FET),把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance, 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道,详情参考右侧图片(N沟道耗尽型MOS管)。而P沟道常见的为低压mos管。 场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体,所以FET管的GATE电流非常小。相当普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管,或,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。因为MOS管更小更省电,所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。广州正规低压MOS管服务商

广州正规低压MOS管服务商,低压MOS管

MOS管选择方法 1、沟道类型 选择好MOS管器件的***步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中,当一个MOS管接地,而负载连接到干线电压上时,该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道MOS管,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管,这也是出于对电压驱动的考虑。 2、额定电压 确定所需的额定电压,或者器件所能承受的比较大电压。额定电压越大,器件的成本就越高。根据实践经验,额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护,使MOS管不会失效。 就选择MOS管而言,必须确定漏极至源极间可能承受的比较大电压,即比较大VDS。知道MOS管能承受的比较大电压会随温度而变化这点十分重要。我们须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围,确保电路不会失效。需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同;通常,便携式设备为20V、FPGA电源为20~30V、85~220VAC应用为450~600V。 广州正规低压MOS管服务商

广州正规低压MOS管服务商,低压MOS管

5、系统散热 须考虑两种不同的情况,即相当坏情况和真实情况。建议采用针对相当坏情况的计算结果,因为这个结果提供更大的安全余量,能确保系统不会失效。在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据;器件的结温等于比较大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积(结温=比较大环境温度+[热阻×功率耗散])。根据这个式子可解出系统的最大功率耗散,即按定义相等于I2×RDS(ON)。我们已将要通过器件的比较大电流,可以计算出不同温度下的RDS(ON)。另外,还要做好电路板及其MOS管的散热。 雪崩击穿是指半导体器件上的反向电压超过比较大值,并形成强电场使器件内电流增加。晶片尺寸的增加会提高抗雪崩能力,最终提高器件的稳健性。因此选择更大的封装件可以有效防止雪崩。 6、开关性能 影响开关性能的参数有很多,但相当重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗,因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低,器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗,要计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。MOSFET开关的总功率可用如下方程表达:Psw=(Eon+Eoff)×开关频率。而栅极电荷(Qgd)对开关性能的影响比较大

3、额定电流 该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的比较大电流。与电压的情况相似,确保所选的MOS管能承受这个额定电流,即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下,MOS管处于稳态,此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的比较大电流,只需直接选择能承受这个比较大电流的器件便可。 4、导通损耗 在实际情况下,MOS管并不是理想的器件,因为在导电过程中会有电能损耗,这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻,由器件的RDS(ON)所确定,并随温度而***变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算,由于导通电阻随温度变化,因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高,RDS(ON)就会越小;反之RDS(ON)就会越高。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。关于RDS(ON)电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。

广州正规低压MOS管服务商,低压MOS管

mos管是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。 MOS管可以用作可变电阻也可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。且场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。场效应管可以方便地用作恒流源也可以用作电子开关。 有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了大多数的应用。 在一般电子电路中,通常被用于放大电路或开关电路。而在主板上的电源稳压电路中,MOSFET扮演的角色主要是判断电位,它在主板上常用“Q”加数字表示。广州正规低压MOS管服务商

广州正规低压MOS管服务商

在2018年电子信息制造业主要四个细分领域增加值同比增速中,电子元器件以14.5%的增速稳居前列,电子元件及电子专用材料制造业以13.2%的增速,与通信设备制造业13.8%相差不大,并远高于计算机制造业的9.5%。为进一步推动我国[ "电子元器件 ", "高、低压MOS", "二、三极管", "智能芯片" ]的产业发展,促进新型[ "电子元器件 ", "高、低压MOS", "二、三极管", "智能芯片" ]的技术进步与应用水平提高,在 5G 商用爆发前夕,2019 中国 5G [ "电子元器件 ", "高、低压MOS", "二、三极管", "智能芯片" ]重点展示关键元器件及设备,旨在助力[ "电子元器件 ", "高、低压MOS", "二、三极管", "智能芯片" ]行业把握发展机遇,实现跨越发展。**开放以来,我国经济***发展,脱贫致富,实现小康之路触手可及。值得注意的是有限责任公司企业的发展,特别是近几年,我国的电子企业实现了质的飞跃。从电子元器件的外国采购在出售。利用物联网、大数据、云计算、人工智能等技术推动销售产品智能化升级。信息消费5G先行,完善信息服务基础建设:信息消费是居民、**对信息产品和服务的使用,包含产品和服务两大类,产品包括手机、电脑、平板、智能电视和VR/AR等。广州正规低压MOS管服务商

东莞市铭鳌电子科技有限公司位于广东省东莞市,创立于2018-03-21 00:00:00。公司业务涵盖[ "电子元器件 ", "高、低压MOS", "二、三极管", "智能芯片" ]等,价格合理,品质有保证。公司从事电子元器件多年,有着创新的设计、强大的技术,还有一批独立的专业化的队伍,确保为客户提供优质的产品及服务。在社会各界的鼎力支持下,经过公司所有人员的努力,公司自2018-03-21 00:00:00成立以来,年营业额达到200-300万元。

企业:东莞市铭鳌电子科技有限公司
东莞市铭鳌电子科技有限公司
扫一扫,加微信联系
推荐商机
联系我们
东莞市铭鳌电子科技有限公司
扫一扫 加微信联系
信息来源于互联网 本站不为信息真实性负责