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发展历史
在18世纪的时候，科学家们还认为电和磁是风马牛不相及的两种物理现象。1820年丹麦物理学家奥斯特发现电流的磁效应后，1831年英国物理学家法拉第又发现了电磁感应现象。这些发现证实了电能和磁能可以相互转化，这也为后来的电动机和发电机的诞生奠定了基础；人类则因这些发明创造从此迈入电气时代。19世纪30年代，美国物理学家约瑟夫·亨利在研究电路控制时利用电磁感应现象发明了继电器。**早的继电器是电磁继电器，它利用电磁铁在通电和断电下磁力产生和消失的现象，来控制高电压高电流的另一电路的开合，它的出现使得电路的远程控制和保护等工作得以顺利进行。继电器是人类科技史上的一项伟大发明创造，它不仅是电气工程的基础，也是电子技术、微电子技术的重要基础。 [2] 广州上门回收闪存芯片推荐
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4、按继电器的防护特征分类：
1）密封继电器：采用焊接或其他方法，将触点和线圈等密封在罩子内，与围介质相隔离，其泄漏率较低的继电器。 [5]
2）封闭式继电器：用罩壳将触点和线圈等密封（非密封）加以防护的继电器。 [5]
3）敞开式继电器：不用防护罩来保护触电和线圈等的继电器。 [5]
以上继电器在电子制作中**常用的是电磁继电器和干簧继电器两种。 [5]
继电器主要产品技术参数
①额定工作电压:是指继电器正常工作时线圈所需要的电压。根据继电器的型号不同可以是交流电压，也可以是直流电压。[4]
②直流电阻:是指继电器中线圈的直流电阻，可以通过万用表测量。 [4]
③吸合电流:是指继电器能够产生吸合动作的**小电流。在正常使用时，给定的电流必须略大于吸合电流，这样继电器才能稳定地工作。而对于线圈所加的工作电压，一般不要超过额定工作电压的1.5倍，否则会产生较大的电流而把线圈烧毁。 [4]
块容量块是擦除操作的基本单位，由于每个块的擦除时间几乎相同（擦除操作一般需要2ms，而之前若干周期的命令和地址信息占用的时间可以忽略不计），块的容量将直接决定擦除性能。大容量NAND型闪存的页容量提高，而每个块的页数量也有所提高，一般4Gb芯片的块容量为2KB×64个页=128KB，1Gb芯片的为512字节×32个页=16KB。可以看出，在相同时间之内，前者的擦速度为后者8倍！I/O位宽以往NAND型闪存的数据线一般为8条，不过从256Mb产品开始，就有16条数据线的产品出现了。但由于控制器等方面的原因，x16芯片实际应用的相对比较少，但将来数量上还是会呈上升趋势的。虽然x16的芯片在传送数据和地址信息时仍采用8位一组，占用的周期也不变，但传送数据时就以16位为一组，带宽增加一倍。K9K4G16U0M就是典型的64M×16芯片，它每页仍为2KB，但结构为（1K+32）×16bit。
速度这里我们还需要端正一个概念，那就是闪存的速度其实很有限，它本身操作速度、频率就比内存低得多，而且NAND型闪存类似硬盘的操作方式效率也比内存的直接访问方式慢得多。因此，不要以为闪存盘的性能瓶颈是在接口，甚至想当然地认为闪存盘采用USB2.0接口之后会获得巨大的性能提升。
前面提到NAND型闪存的操作方式效率低，这和它的架构设计和接口设计有关，它操作起来确实挺像硬盘（其实NAND型闪存在设计之初确实考虑了与硬盘的兼容性），它的性能特点也很像硬盘：小数据块操作速度很慢，而大数据块速度就很快，这种差异远比其他存储介质大的多。这种性能特点非常值得我们留意。 广州上门回收闪存芯片推荐
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供应动态编辑
日前，SandForce的新东家芯片公司LSI表示，他们正在研发一款用于超极本中SF主控SSD的新固件，而主要作用就是降低SSD的功耗，此外还能提升SSD的性能，加快启动速度。 [1] 参数编辑
采用3. 3V电源;
芯片内部的存储单元阵列为(256M +8.192M) bit ×8bit,数据寄存器和缓冲存储器均为(2k + 64) bit ×8bit ;
具有指令/地址/数据复用的I/O口;
在电源转换过程中,其编程和擦除指令均可暂停;
由于采用可靠的CMOS移动门技术, 使得芯片比较大可实现100kB编程/擦除循环,该技术可以保证数据保存10 年而不丢失。 广州上门回收闪存芯片推荐
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