广州工厂回收闪存芯片推荐

时间:2020年03月31日 来源:

读取性能:NAND型闪存的读取步骤分为:发送命令和寻址信息→将数据传向页面寄存器(随机读稳定时间)→数据传出(每周期8bit,需要传送512+16或2K+64次)。

K9K1G08U0M读一个页需要:5个命令、寻址周期×50ns+12μs+(512+16)×50ns=38.7μs;K9K1G08U0M实际读传输率:512字节÷38.7μs=13.2MB/s;K9K4G08U0M读一个页需要:6个命令、寻址周期×50ns+25μs+(2K+64)×50ns=131.1μs;K9K4G08U0M实际读传输率:2KB字节÷131.1μs=15.6MB/s。因此,采用2KB页容量比512字节也容量约提高读性能20%。

写入性能:NAND型闪存的写步骤分为:发送寻址信息→将数据传向页面寄存器→发送命令信息→数据从寄存器写入页面。其中命令周期也是一个,我们下面将其和寻址周期合并,但这两个部分并非连续的。

K9K1G08U0M写一个页需要:5个命令、寻址周期×50ns+(512+16)×50ns+200μs=226.7μs。K9K1G08U0M实际写传输率:512字节÷226.7μs=2.2MB/s。K9K4G08U0M写一个页需要:6个命令、寻址周期×50ns+(2K+64)×50ns+300μs=405.9μs。K9K4G08U0M实际写传输率:2112字节/405.9μs=5MB/s。因此,采用2KB页容量比512字节页容量提高写性能两倍以上。 广州工厂回收闪存芯片推荐

模仿上面的计算,我们得到如下。K9K4G16U0M读一个页需要:6个命令、寻址周期×50ns+25μs+(1K+32)×50ns=78.1μs。K9K4G16U0M实际读传输率:2KB字节÷78.1μs=26.2MB/s。K9K4G16U0M写一个页需要:6个命令、寻址周期×50ns+(1K+32)×50ns+300μs=353.1μs。K9K4G16U0M实际写传输率:2KB字节÷353.1μs=5.8MB/s

可以看到,相同容量的芯片,将数据线增加到16条后,读性能提高近70%,写性能也提高16%。频率工作频率的影响很容易理解。NAND型闪存的工作频率在20~33MHz,频率越高性能越好。前面以K9K4G08U0M为例时,我们假设频率为20MHz,如果我们将频率提高一倍,达到40MHz,则

K9K4G08U0M读一个页需要:6个命令、寻址周期×25ns+25μs+(2K+64)×25ns=78μs。K9K4G08U0M实际读传输率:2KB字节÷78μs=26.3MB/s。可以看到,如果K9K4G08U0M的工作频率从20MHz提高到40MHz,读性能可以提高近70%!当然,上面的例子只是为了方便计算而已。在三星实际的产品线中,可工作在较高频率下的应是K9XXG08UXM,而不是K9XXG08U0M,前者的频率可达33MHz。 广州工厂回收闪存芯片推荐

继电器测试

①测触点电阻:用万用表的电阻挡,测量常闭触点与动点电阻,其阻值应为0;而常开触点与动点的阻值就为无穷大。由此可以区别出那个是常闭触点,那个是常开触点。 [4]

②测线圈电阻:可用万用表R×10挡测量继电器线圈的阻值,从而判断该线圈是否存在着开路现象。 [4]

③测量吸合电压和吸合电流:用可调稳压电源和电流表,给继电器输入一组电压,且在供电回路中串入电流表进行监测。慢慢调高电源电压,听到继电器吸合的声音时,记录吸合电压和吸合电流。为求准确,可以尝试多次求平均值。 [4]

④测量释放电压和释放电流:也是像上述那样连接测试,当继电器发生吸合后,再逐渐降低供电电压,当听到继电器再次发生释放声音时,记下此时的电压和电流,亦可尝试多次而取得平均的释放电压和释放电流。一般情况下,继电器的释放电压为吸合电压的10%~50%如果释放电压大小(小于1/10的吸合电压),则不能正常使用,这样会对电路的稳定性造成威胁,使工作不可靠。[4]

说明编辑

I/O0~I/O7:数据输入输出口, I/O口常用于指令和地址的输入以及数据的输入/输出,其中数据在

读的过程中输入。当芯片没有被选中或不能输出时, I/O口处于高阻态。

CLE:指令锁存端,用于***指令到指令寄存器的路径, 并在WE上升沿且CLE 为高电平时将指令锁存。

ALE: 地址锁存端, 用于***地址到内部地址寄存器的路径,并在WE上升沿且ALE为高电平时,地址锁存。

CE: 片选端, 用于控制设备的选择。当设备忙时, CE 为高电平而被忽略, 此时设备不能回到备用状态。

RE: 读使能端,用于控制数据的连续输出,并将数据送到I/ O 总线。只有在RE的下降沿时,输出数据才有效, 同时, 它还可以对内部数据地址进行累加。

WE: 写使能控制端, 用于控制I/O口的指令写入,同时,通过该端口可以在WE脉冲的上升沿将指令、地址和数据进行锁存。

WP: 写保护端, 通过WP 端可在电源变换中进行写保护。当WP为低电平时,其内部高电平发生器将复位。

R/ B : 就绪/ 忙输出, R/ B 的输出能够显示设备的操作状态。R/ B 处于低电平时,表示有编程、擦除或随机读操作正在进行。操作完成后, R/B会自动返回高电平。由于该端是漏极开路输出, 所以即使当芯片没有被选中或输出被禁止时, 它也不会处于高阻态。

分类回收闪存也有不同类型,其中主要分为NOR型和NAND型两大类。

NOR型与NAND型闪存的区别很大,打个比方说,NOR型闪存更像内存,有**的地址线和数据线,但价格比较贵,容量比较小;而NAND型更像硬盘,地址线和数据线是共用的I/O线,类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般,而且NAND型与NOR型闪存相比,成本要低一些,而容量大得多。因此,NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合,通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行,手机就是使用NOR型闪存的大户,所以手机的“内存”容量通常不大;NAND型闪存主要用来存储资料,我们常用的闪存产品,如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。 广州工厂回收闪存芯片推荐

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寻址寻址时,NAND型闪存通过8条I/O接口数据线传输地址信息包,每包传送8位地址信息。由于闪存芯片容量比较大,一组8位地址只够寻址256个页,显然是不够的,因此通常一次地址传送需要分若干组,占用若干个时钟周期。NAND的地址信息包括列地址(页面中的起始操作地址)、块地址和相应的页面地址,传送时分别分组,至少需要三次,占用三个周期。随着容量的增大,地址信息会更多,需要占用更多的时钟周期传输,因此NAND型闪存的一个重要特点就是容量越大,寻址时间越长。而且,由于传送地址周期比其他存储介质长,因此NAND型闪存比其他存储介质更不适合大量的小容量读写请求。页数量前面已经提到,越大容量闪存的页越多、页越大,寻址时间越长。但这个时间的延长不是线性关系,而是一个一个的台阶变化的。譬如128、256Mb的芯片需要3个周期传送地址信号,512Mb、1Gb的需要4个周期,而2、4Gb的需要5个周期。广州工厂回收闪存芯片推荐

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