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时间:2020年06月04日 来源:

5、系统散热 须考虑两种不同的情况,即相当坏情况和真实情况。建议采用针对相当坏情况的计算结果,因为这个结果提供更大的安全余量,能确保系统不会失效。在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据;器件的结温等于比较大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积(结温=比较大环境温度+[热阻×功率耗散])。根据这个式子可解出系统的最大功率耗散,即按定义相等于I2×RDS(ON)。我们已将要通过器件的比较大电流,可以计算出不同温度下的RDS(ON)。另外,还要做好电路板及其MOS管的散热。 雪崩击穿是指半导体器件上的反向电压超过比较大值,并形成强电场使器件内电流增加。晶片尺寸的增加会提高抗雪崩能力,**终提高器件的稳健性。因此选择更大的封装件可以有效防止雪崩。 6、开关性能 影响开关性能的参数有很多,但相当重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗,因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低,器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗,要计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。MOSFET开关的总功率可用如下方程表达:Psw=(Eon+Eoff)×开关频率。而栅极电荷(Qgd)对开关性能的影响比较大广州库存低压MOS管销售厂家

MOS管选择方法 1、沟道类型 选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中,当一个MOS管接地,而负载连接到干线电压上时,该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道MOS管,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管,这也是出于对电压驱动的考虑。 2、额定电压 确定所需的额定电压,或者器件所能承受的比较大电压。额定电压越大,器件的成本就越高。根据实践经验,额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护,使MOS管不会失效。 就选择MOS管而言,必须确定漏极至源极间可能承受的比较大电压,即比较大VDS。知道MOS管能承受的比较大电压会随温度而变化这点十分重要。我们须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围,确保电路不会失效。需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同;通常,便携式设备为20V、FPGA电源为20~30V、85~220VAC应用为450~600V。 广州库存低压MOS管销售厂家

MOS管发热情况: 1.电路设计的问题,就是让MOS管工作在线性的工作状态,而不是在开关电路状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,才能完全导通,P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗,等效直流阻抗比较大,压降增大,所以U*I也增大,损耗就意味着发热。这是设计电路的相当忌讳的错误。 2.频率太高,主要是有时过分追求体积,导致频率提高,MOS管上的损耗增大了,所以发热也加大了。 3.没有做好足够的散热设计,电流太高,MOS管标称的电流值,一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于比较大电流,也可能发热严重,需要足够的辅助散热片。 4.MOS管的选型有误,对功率判断有误,MOS管内阻没有充分考虑,导致开关阻抗增大。

MOS管应用电路 MOS管相当***的特性是开关特性好,所以被广泛应用在需要电子开关的电路中,常见的如开关电源和马达驱动,也有照明调光。 现在的MOS驱动,有几个特别的需求, 1,低压应用 当使用5V电源,这时候如果使用传统的图腾柱结构,由于三极管的be有0.7V左右的压降,导致实际**终加在gate上的电压只有4.3V。这时候,我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。 同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。 2,宽电压应用 输入电压并不是一个固定值,它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。 为了让MOS管在高gate电压下安全,很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下,当提供的驱动电压超过稳压管的电压,就会引起较大的静态功耗。 同时,如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压,就会出现输入电压比较高的时候,MOS管工作良好,而输入电压降低的时候gate电压不足,引起导通不够彻底,从而增加功耗。 3,双电压应用 在一些控制电路中,逻辑部分使用典型的5V或者3.3V数字电压,而功率部分使用12V甚至更高的电压。两个电压采用共地方式连接。

mos管优势: 1.可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。 2.很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。 3.可以用作可变电阻。 4.可以方便地用作恒流源。 5.可以用作电子开关。 6.在电路设计上的灵活性大。栅偏压可正可负可零,三极管只能在正向偏置下工作,电子管只能在负偏压下工作。另外输入阻抗高,可以减轻信号源负载,易于跟前级匹配。广州库存低压MOS管销售厂家

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MOS管的生产企业很多,大致说来,主要有欧美系、日系、韩系、台系、国产几大系列。 欧美系**企业:ST、安森美(含仙童)、TI、PI、英飞凌(含IR)等; 日系**企业:东芝、瑞萨、新电元等; 韩系**企业:KEC、AUK、美格纳、森名浩、威士顿、信安、KIA等; 台系**企业:APEC 富鼎、CET 华瑞; 国产**企业:吉林华微、士兰微、华润华晶、东光微、世纪金光半导体等。 在这些品牌中,以欧美系企业的产品种类相当全、技术及性能比较好,从性能效果考虑,是为MOS管的优先;以瑞萨、东芝为**的日系企业也是MOS管的**品牌,同样具有很强的竞争优势;这些品牌也是市面上被仿冒相当多的。另外,由于品牌价值、技术优势等原因,欧美系和日系品牌企业的产品价格也往往较高。 韩国和中国台湾的MOS管企业也是行业的重要产品供应商,不过在技术上,要稍弱于欧美及日系企业,但在价格方面,较欧美及日系企业更具优势;性价比相对高很多。 而在中国大陆,同样活跃着一批本土企业,他们借助更低的成本优势和更快的客户服务响应速度,在中低端及细分领域具有很强的竞争力,部分实现了国产替代;目前也在不断冲击**产品线,以满足本土客户的需求。广州库存低压MOS管销售厂家

东莞市铭鳌电子科技有限公司创建于2018-03-21,注册资金 50-100万元,办公设施齐全,办公环境优越,已***实行网络化办公,**提高了速度和效率。NXP,Holy Stone,Epcos,TDK,HEC,广州创天,上海赛微,深圳深爱,新洁能,德州仪器,NCEPOWER是东莞市铭鳌电子科技有限公司的主营品牌,是专业的铭鳌电子科技(ESKY VISION)业务始于2013年,经过多年的快速发展,公司分别在香港、中国台湾设立了区域性的采购业务服务中心,并在苏州和广州建立起了配套的仓储物流中心。公司的目标是致力于打造一个***、快捷、灵活、有竞争力的现代化供应链体系,通过快捷交付、灵活反应,品质保证、价格合理,来为新老客户创造出巨大的价值。 多年以来,公司与众多国际**品牌建立了良好愉快的合作关系,以此为依托,公司始终致力于为国内消费电子、家用电器、医疗设备,通信技术、机械设备等行业提供电子元器件、工业零件等一站式增值供应服务,让客户更多专注于研发和产品制造。公司经销代理产品线:ST、NXP、TI、YAGEO、HEC、TDK、EPCOS、KEMET、Silan(士兰微) 、LRC(乐山无线) 、广州创天、CellWise、深爱、上海贝岭、新洁能等。公司,拥有自己**的技术体系。我公司拥有强大的技术实力,多年来一直专注于铭鳌电子科技(ESKY VISION)业务始于2013年,经过多年的快速发展,公司分别在香港、中国台湾设立了区域性的采购业务服务中心,并在苏州和广州建立起了配套的仓储物流中心。公司的目标是致力于打造一个***、快捷、灵活、有竞争力的现代化供应链体系,通过快捷交付、灵活反应,品质保证、价格合理,来为新老客户创造出巨大的价值。 多年以来,公司与众多国际**品牌建立了良好愉快的合作关系,以此为依托,公司始终致力于为国内消费电子、家用电器、医疗设备,通信技术、机械设备等行业提供电子元器件、工业零件等一站式增值供应服务,让客户更多专注于研发和产品制造。公司经销代理产品线:ST、NXP、TI、YAGEO、HEC、TDK、EPCOS、KEMET、Silan(士兰微) 、LRC(乐山无线) 、广州创天、CellWise、深爱、上海贝岭、新洁能等。的发展和创新,打造高指标产品和服务。铭鳌电子始终以质量为发展,把顾客的满意作为公司发展的动力,致力于为顾客带来***的[ "电子元器件 ", "高、低压MOS", "二、三极管", "智能芯片" ]。

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