广州巨大规模集成电路芯片

    固定层a和自由层a的磁向之间的关系限定了mtj的电阻状态，并且从而使得多个存储单元a,至b,能够分别存储数据状态，数据状态具有基于存储单元内的工作mtj器件的电阻的值。例如，如果工作mtj器件a,具有低电阻状态，则存储单元a,将存储位值(例如，逻辑“”)，或者如果工作mtj器件a,具有高电阻状态，则存储单元a,将存储位值。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括：一般经营项目是：电子产品及其配件的技术开发与销售；国内贸易等。本公司主营推广销售AD（亚德诺）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等国际品牌集成电路。产品广泛应用于：汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。本公司一直秉承优势服务，诚信合作的原则，以现代化管理以及优势的渠道价格、良好的信誉与广大客户建立了长期友好的合作关系，为广大厂商和市场客户提供优势的产品服务。例如，逻辑“”)。调节访问装置分别具有通过其可以控制提供给相关的工作mtj器件的电流的电阻。例如，调节访问装置a,被配置为控制提供给工作mtj器件a,的电流，调节访问装置b,被配置为控制提供给工作mtj器件b,的电流等。先进的集成电路是微处理器或多核处理器的关键，可以控制计算机到手机到数字微波炉的一切。广州巨大规模集成电路芯片

    为了达到这个目标，在过去的几十年间，存储单元组件的尺寸已经不断缩小。mtj器件超越其它存储器类型的一个优势是mtj器件的mtj可以制成非常小的尺寸。然而，在mram单元中，驱动晶体管(即，存取晶体管)用于在读取和/或写入操作期间选择性地向相关的mtj器件提供电压和/或电流。因为mram单元通常对写入操作使用相对高的电压和/或电流，所以驱动晶体管的尺寸可能相对较大。虽然可以使mram单元的mtj具有小的尺寸，但是相对大尺寸的驱动晶体管限制了存储器阵列内的小型ram单元可以缩小的程度。在一些实施例中，涉及集成芯片，该集成芯片包括具有多个存储单元(例如，mram单元)的存储器阵列，存储单元不包括驱动晶体管(即，不使用驱动晶体管来对存储单元提供电压和/或电流)。而且，多个存储单元分别包括调节访问装置，该调节访问装置被配置为选择性地对存储器阵列内的工作mtj器件提供访问。调节访问装置具有连接至工作mtj器件的一个或多个调节mtj器件。一个或多个调节mtj器件被配置为通过控制(即。调节)提供给工作mtj器件的电流来选择性地对工作mtj器件提供访问。通过使用调节访问装置来选择性地对存储器阵列内的工作mtj器件提供访问，可以减小存储器阵列内的存储单元(例如。长沙巨大规模集成电路价格极大规模集成电路：逻辑门10,001~1M个或 晶体管100,001~10M个。

    化学机械平坦化工艺)以形成互连层b。的截面图所示，可以在存储单元a,上方形成存储单元b,。存储单元b。可以包括工作mtj器件和调节访问装置，调节访问装置具有形成在第三互连层c和第四互连层d之间的调节mtj器件和。存储单元b,可以根据与关于图至图描述的那些类似的步骤形成。出了形成具有存储器电路的集成芯片的方法的一些实施例的流程图，该存储器电路包括具有调节访问装置的存储单元(例如，mram单元)，该调节访问装置被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问。虽然方法示出和描述为一系列步骤或事件，但是应该理解，这些步骤或事件的示出的顺序不被解释为限制意义。例如。一些步骤可以以不同的顺序发生和/或与除了此处示出的和/或描述的一些的其它步骤或事件同时发生。此外，可能不是所有示出的步骤对于实施此处描述的一个或多个方面或实施例都是需要的，并且此处描述的一个或多个步骤可以在一个或多个单独的步骤和/或阶段中实施。在步骤中，在衬底上方形成互连层。互连层可以形成在衬底上方的ild层内。出了对应于步骤的一些实施例的截面图。在步骤中。在互连层的连续上表面正上方形成多个底电极通孔。出了对应于步骤的一些实施例的截面图。在步骤中。

    在磁固定膜上方形成介电阻挡膜，并且在介电阻挡膜上方形成磁自由膜来形成多个mtj器件、和。可以对磁固定膜、介电阻挡层和磁自由膜实施一个或多个图案化工艺以限定多个mtj器件、和。在其它实施例中，可以在不同时间形成多个mtj器件、和。的截面图所示，在多个mtj器件、和上方形成多个顶电极通孔。多个顶电极通孔由ild层围绕。在一些实施例中。可以在多个mtj器件、和上方沉积ild层，并且然后选择性地图案化ild层以限定顶电极通孔开口。然后通过沉积工艺在顶电极通孔开口内形成多个顶电极通孔。在各个实施例中，ild层可以包括一种或多种介电材料，诸如二氧化硅(sio)、sicoh、氟硅酸盐玻璃、磷酸盐玻璃(例如，硼磷硅酸盐玻璃)等。在各个实施例中，多个顶电极通孔可以包括导电材料，诸如钛、氮化钛、钽等。在多个mtj器件、和上方的第三ild层内形成互连层b。在一些实施例中，互连层b包括限定存储单元a,的位线bl和一条或多条字线wl至wl的多个互连结构。在一些实施例中，第三ild层可以包括通过一个或多个沉积工艺(例如，pvd、cvd、pe-cvd等)形成的电介质(例如，氧化物、低k电介质或k电介质)。可以通过选择性地蚀刻第三ild层以在第三ild层内形成开口来形成互连层b。集成电路产业还甚至延伸至设备、材料市场。

    图b示出了对应于图a的存储器电路的集成电路的一些实施例的截面图。如截面图所示，调节mtj器件具有尺寸(例如。宽度w)，并且调节mtj器件具有与尺寸不同的尺寸(例如，宽度w)。调节mtj器件的尺寸赋予调节mtj器件更大的切换电流，这可以允许更大的电流。在一些实施例中，工作mtj器件具有与尺寸和尺寸不同的第三尺寸(例如，第三宽度w)。图a至图b示出了包括存储器电路的集成芯片的一些额外实施例，存储器电路具有被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节访问装置。图a示出了具有以行和列布置的多个存储单元a,至c,的存储器电路的示意图。多个存储单元a,至c,分别包括被配置为存储数据的工作mtj器件和被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节访问装置。调节访问装置包括连接在字线wlx(x＝,,)和偏置电压线bvly(y＝,,)之间的调节mtj器件。工作mtj器件连接在偏置电压线bvly(y＝,,)和位线blz(z＝,,)之间。多个存储单元a,至c,连接至控制电路。控制电路包括被配置为选择性地将信号施加至一条或多条位线blz的位线解码器、被配置为选择性地将信号施加至一条或多条字线wlx的字线解码器以及被配置为选择性地将信号施加至一条或多条偏置电压线bvly的偏置电路。在一些实施例中。集成电路是20世纪50年代后期到60年代发展起来的一种新型半导体器件；成都巨大规模集成电路技术

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    调节访问装置被配置为通过控制提供给工作mtj器件的电流来选择性地对存储器阵列内的一个或多个工作mtj器件提供访问。在一些实施例中，调节访问装置可以包括一个或多个调节mtj器件，一个或多个调节mtj器件分别包括mtj，mtj具有通过介电遂穿阻挡层b与自由层b分隔开的固定层b。例如，在一些实施例中，调节访问装置可以包括与相关的工作mtj器件连接的并联连接的调节mtj器件和调节mtj器件。在一些实施例中。调节mtj器件、调节mtj器件和工作mtj器件分别包括mtj，mtj具有通过介电遂穿阻挡层与自由层分隔开的固定层。在一些实施例中，固定层可以包括钴(co)、铁(fe)、硼(b)、镍(ni)、钌(ru)、铱(ir)、铂。pt)等。在一些实施例中，介电遂穿阻挡层可以包括氧化镁(mgo)、氧化铝(alo)等。在一些实施例中，自由层可以包括钴(co)、铁(fe)、硼(b)等。在其它实施例中，调节访问装置可以包括一个或多个电阻器(例如，包括氮化钽、钽、氮化钛、钛、钨等的薄膜电阻器)。例如。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括：一般经营项目是：电子产品及其配件的技术开发与销售；国内贸易等。本公司主营推广销售AD（亚德诺）,LINEAR。广州巨大规模集成电路芯片